Un equipo de investigadores de IBM ha desarrollado una nueva técnica de carga a nivel molecular que sustituye el silicio por óxido de metal, dando lugar a procesadores lógicos y memoria no volátiles mejorados.
Esto es posible porque el material utilizado puede combinarse con líquido iónico, en una mezcla donde la mitad de las moléculas tiene carga positiva y la otra mitad posee carga negativa.
Cuando se aplica una tensión iónica muy pequeña, las partículas cargadas se mueven a lados opuestos de la superficie del óxido. La carga sale del óxido y entra en el líquido, cambiando su estado desde aislante a conductor de electricidad (o viceversa) de forma totalmente fiable.
Además, puede mantener su estado en el tiempo, en vez de provocar sacudidas constantes de electricidad, hasta que se le aplica otra carga. Y, en la práctica, abre la puerta a la fabricación de chips que guarden datos independientemente de su estado o que utilicen mucha menos energía que los actuales.
“Nuestra capacidad única para comprender y controlar la materia en dimensiones moleculares nos permite investigar con nuevos materiales que podrían sustituir algún día a las tecnologías basada en silicio”, dice Stuart Parkin, miembro de IBM Research, que asegura que la forma de operar de la nueva técnica es muy similar a la que realiza el cerebro humano.
“Estamos escribiendo un nuevo capítulo en el futuro de la informática con innovaciones -incluyendo ver más allá de los tradicionales dispositivos eléctricos basados en cargadores- que prevengan a la industria de golpearse con una pared de ladrillo”, indica.
Ciertamente, si el invento sale bien, se podría solucionar uno de los grandes problemas de los dispositivos actuales (especialmente los móviles) que se encuentran limitados por la ineficiencia eléctrica y una corta autonomía.
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